简  报

﹝2018﹞第四十四期（总第310期）

中科院老科协办公室              2018年 7月13日

中科院老科协半导体所分会

举办“功率半导体器件的现状和发展趋势”学术沙龙

　　2018年6月28日中科院老科协半导体所分会在中科院半导体研究所举办“功率半导体器件的现状和发展趋势”的学术沙龙，由分会理事长王玉富博士主持，半导体研究所张峰研究员作了“碳化硅（SiC）电力电子器件在电力系统中的应用和需求 ”主题报告，全球能源互联网研究院有限公司高级工程师钮应喜作了“SiC电力电子器件在电力系统中的应用和需求”的邀请报告。与会专家学者约30名参会，包括中科院老科协的领导何远光、桂文庄、张志林、麻莉雯、半导体所党委书记冯仁国、夏建白院士，内蒙电子所赵隆和山东搏纳马营高级工程师，并进行了热烈讨论。

　　碳化硅宽禁带半导体材料由于化学性能稳定、导热系数高、硬度高等特征，除作磨料用外，还有很多其他用途。世界各国对碳化硅的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。半导体研究所张峰研究员在报告中针对碳化硅材料外延生长技术、碳化硅功率器件的研究进展及应用等方面做了全面的介绍。讲解了目前6 英寸碳化硅材料研究进展及其遇到的技术瓶颈，不同种类的碳化硅功率型器件的发展与遇到的问题，特别针对碳化硅在高频充电机上的应用都做了详细的介绍。此外，还介绍了半导体所碳化硅技术与泰科天润公司成果转化情况。全球能源互联网研究院钮应喜高级工程师针对高压碳化硅器件在电网中的需求以及应用情况，提出该技术应用市场前景及方向，重点对碳化硅器件在新能源并网发电、柔性输电、常规高压直流输电改造以及全球能源互联需求等方面做了前瞻性预测。

　　与会专家夏建白院士、江德生、种明、王玉富、郑红军等对报告中涉及的产业化进程、技术研究瓶颈、高压应用、碳化硅外延生长、国内外研究差距等等问题进行了深入热烈的讨论。

　　中科院老科协何远光理事长在认真听取报告后，高度评价了此次沙龙活动中张峰研究员与钮应喜工程师在碳化硅应用研究领域取得的突出成果，以及研究所科研成果与企业的成功的技术合作，同时感谢半导体所领导对老科协工作的支持。

　　半导体所党委书记冯仁国在讲话中感谢中科院老科协领导对半导体所科研成果的关心、促进和支持，高度赞扬老一辈科学家心系祖国科研事业，不遗余力地发挥余热，希望年轻一代的科学工作者向老科学家学习，在半导体材料领域取得新的更大成就。

　　通过此次沙龙活动，不仅使与会者对第三代半导体材料碳化硅有了更深的认识，而且在如何更好地发挥老科协作用上也受到了很大的启发。

　　(中科院理科协半导体所分会供稿)